Detaillierte Informationen

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Betriebsstunden
Einschaltstunden
Zustand gut
CE-Norm ---------
Status

Beschreibung

EBARA UFP 200 / 300M Photoresist Equipment ist ein hochmodernes Lithografiesystem, das zur Herstellung komplizierter Muster und Merkmale auf Substraten verwendet wird. Dieses Gerät ist ideal für die Produktion von integrierten Hightech-Schaltungen, Halbleiterbauelementen und anderen Komponenten, die bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltkreisen verwendet werden. Sie verfügt über ein modulares Design, um verschiedenen Produktionsanforderungen gerecht zu werden. Die Maschine ist in der Lage, unter Verwendung hochwertiger lithografischer Masken Strukturen mit einer Größe von bis zu 5 Mikrometern herzustellen. Ein hochpräziser linearer Encoder sorgt für eine konsistente Ausrichtung und Überlagerung. Das Gerät verfügt außerdem über eine optionale Multilayer-Funktion, mit der mehrere Schichten von Mustern mit hervorragender Konsistenz hergestellt werden können. Das Gerät verwendet ein spezielles hochauflösendes Belichtungsgerät, um den ausgewählten Fotolack mit UV-Licht zu belichten. Dieser Belichtungsprozess erzeugt ein präzises Muster aus belichteten und unbelichteten Bereichen, das später auf das Substrat übertragen wird. Das Modell UFP 200 / 300M umfasst auch ein Trocknungsmodul mit präziser Temperaturregelung und ein Sprühbeschichtungsmodul für eine gleichmäßige Beschichtung. Der entwickelte Fotolack wird dann durch einen direkten Kontaktprozess auf das Substrat übertragen. Dieses Übertragungsverfahren erfordert eine genaue Registrierung zwischen Maske und Substrat. Die EBARA UFP 200 / 300M-Anlage verfügt über einen präzisen X-Y-Tisch, der eine exakte Ausrichtung und Überlagerung zwischen beiden gewährleistet. Außerdem verfügt es über ein Bildgebungssystem, das hochauflösende Bilder der Substrate und der Maske nach dem Kontakt erstellt. Darüber hinaus verfügt die UFP 200 / 300M-Fotoresistanlage über einen Nachbelichtungsätzprozess und ein Bake-Modul. Der Nachbelichtungsätzprozess ist für die Entfernung des Fotolacks zuständig, der nicht dem UV-Licht ausgesetzt war. Das Bake-Modul ermöglicht eine präzise Kontrolle der Temperatur des Substrats und des Fotolacks, was für eine korrekte Ätzung unerlässlich ist. Schließlich verfügt die EBARA UFP 200 / 300M Maschine über einen Reinigungsprozess, mit dem alle Reste des Fotolacks vom Substrat entfernt werden. Dies gewährleistet die Genauigkeit und Wiederholbarkeit des Musterübertragungsprozesses und reduziert das Kontaminationspotenzial. Mit seinen fortschrittlichen Funktionen ist das UFP 200 / 300M Photoresist Tool die ideale Lösung für eine Vielzahl von Anforderungen bei der Herstellung von Mikroelektronik.

Bitte beachten Sie, dass diese Beschreibung automatich übersetzt wurde. Für weitere Informationen stehen wir Ihnen gerne zur Verfügung. Die Angaben in dieser Anzeige sind unverbindlich. Wir empfehlen, die Details vor einem Kauf mit dem Verkäufer zu überprüfen.


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Letzte log in 14. Oktober 2024

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EBARA UFP 200 / 300M Photoresist Equipment ist ein hochmodernes Lithografiesystem, das zur Herstellung komplizierter Muster und Merkmale auf Substraten verwendet wird. Dieses Gerät ist ideal für die Produktion von integrierten Hightech-Schaltungen, Halbleiterbauelementen und anderen Komponenten, die bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltkreisen verwendet werden. Sie verfügt über ein modulares Design, um verschiedenen Produktionsanforderungen gerecht zu werden. Die Maschine ist in der Lage, unter Verwendung hochwertiger lithografischer Masken Strukturen mit einer Größe von bis zu 5 Mikrometern herzustellen. Ein hochpräziser linearer Encoder sorgt für eine konsistente Ausrichtung und Überlagerung. Das Gerät verfügt außerdem über eine optionale Multilayer-Funktion, mit der mehrere Schichten von Mustern mit hervorragender Konsistenz hergestellt werden können. Das Gerät verwendet ein spezielles hochauflösendes Belichtungsgerät, um den ausgewählten Fotolack mit UV-Licht zu belichten. Dieser Belichtungsprozess erzeugt ein präzises Muster aus belichteten und unbelichteten Bereichen, das später auf das Substrat übertragen wird. Das Modell UFP 200 / 300M umfasst auch ein Trocknungsmodul mit präziser Temperaturregelung und ein Sprühbeschichtungsmodul für eine gleichmäßige Beschichtung. Der entwickelte Fotolack wird dann durch einen direkten Kontaktprozess auf das Substrat übertragen. Dieses Übertragungsverfahren erfordert eine genaue Registrierung zwischen Maske und Substrat. Die EBARA UFP 200 / 300M-Anlage verfügt über einen präzisen X-Y-Tisch, der eine exakte Ausrichtung und Überlagerung zwischen beiden gewährleistet. Außerdem verfügt es über ein Bildgebungssystem, das hochauflösende Bilder der Substrate und der Maske nach dem Kontakt erstellt. Darüber hinaus verfügt die UFP 200 / 300M-Fotoresistanlage über einen Nachbelichtungsätzprozess und ein Bake-Modul. Der Nachbelichtungsätzprozess ist für die Entfernung des Fotolacks zuständig, der nicht dem UV-Licht ausgesetzt war. Das Bake-Modul ermöglicht eine präzise Kontrolle der Temperatur des Substrats und des Fotolacks, was für eine korrekte Ätzung unerlässlich ist. Schließlich verfügt die EBARA UFP 200 / 300M Maschine über einen Reinigungsprozess, mit dem alle Reste des Fotolacks vom Substrat entfernt werden. Dies gewährleistet die Genauigkeit und Wiederholbarkeit des Musterübertragungsprozesses und reduziert das Kontaminationspotenzial. Mit seinen fortschrittlichen Funktionen ist das UFP 200 / 300M Photoresist Tool die ideale Lösung für eine Vielzahl von Anforderungen bei der Herstellung von Mikroelektronik.

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