Beschreibung
SCHNELLE BERÜHRUNGSLOSE MATERIALCHARAKTERISIERUNG UND PROZESSKONTROLLE
Der Emitterschichtwiderstand ist ein primärer Qualitätskontrollparameter für Siliziumwafer in PV-Anwendungen nach der Emitterdiffusion.
Die CLS-Modelle CLS-1A, CLS-3A und CLS-5A ermöglichen die Messung des Schichtwiderstands an 1 bis 5 Punkten mit einem hohen Durchsatz, der die Anforderungen der Inline-Qualitätskontrolle in vollautomatischen Zellproduktionslinien erfüllt.
Die CMS-Modelle, CMS-1A, CMS-3A, Emitter Sheet Resistance Tester ermöglichen die Messung von Wafern, d.h. das Förderband wird während der Messung nicht angehalten. Daher haben sie einen hohen Durchsatz, der die Anforderungen der Inline-Qualitätskontrolle in vollautomatischen Zellproduktionslinien erfüllt.
Merkmale und Systemspezifikationen:
Messtechnik: berührungslos, Sperrschicht-Photospannung (JPV)
Probengröße: 100 bis 156 mm (210mm Option)
Probenstruktur: np- oder pn-Übergänge
Messbereich: 10 Î/sq. bis 200 I/sq.
Sondenabstand: 1,5 mm Sondenhöhe über Transportbel
Wafer vertikale Positionstoleranz: < 400 μm
Probenhalterung: auf Band
Kalibrierung: durch Wafer verifiziert mit Vierpunktsonde
Optionen:
Messmodul (inkl. 1A-5A Schichtwiderstandsmessköpfe)
Industrie-PC (Windows-Betriebssystem) und Peripheriegeräte
Option CLS-1M-Emitter-Prüfgerät
Wafer-Präsenzsensor (nur CMS)
Vielfältige Schnittstellen zu Automatisierung und MES:
24V optoisolierte E/A, Ethernet-Schnittstelle
Profibus
OPC DA
TCP/IP-Protokoll, Inhalt kann XML oder ASCII sein
SQL-Datenbank
SECS/GEM
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