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Ssec M3302 P240304602
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SSEC 3302 Resistentfernungs- und Waferreinigungsmaschine

Preis auf anfrage

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Hersteller Ssec
Typ M3302
Baujahr
Standort USA US
Kategorie Halbleiter - Waferausrüstung
Produkt ID P240304602
Sprache
bg SSEC 3302 Машина за отстраняване на съпротивление и почистване на пластини
cs SSEC 3302 Stroj na odstraňování rezistů a čištění destiček
da SSEC 3302 maskine til fjernelse af resist og rengøring af wafere
de SSEC 3302 Resistentfernungs- und Waferreinigungsmaschine
el SSEC 3302 Μηχανή αφαίρεσης αντιστάσεων και καθαρισμού πλακιδίων
en SSEC 3302 Resist Removal and Wafer Cleaning Machine
es SSEC 3302 Máquina de eliminación de resistivos y limpieza de obleas
fr SSEC 3302 Machine à enlever les résistances et à nettoyer les plaquettes
hr SSEC 3302 Stroj za uklanjanje i čišćenje pločica
hu SSEC 3302 reziszt eltávolító és ostyatisztító gép
it SSEC 3302 Macchina per la rimozione delle resistenze e la pulizia dei wafer
lt SSEC 3302 Atsparumo pašalinimo ir plokštelių valymo mašina
nl SSEC 3302 Resistverwijderings- en waferreinigingsmachine
pl SSEC 3302 Maszyna do usuwania rezystancji i czyszczenia wafli
pt SSEC 3302 Máquina de remoção de resistência e limpeza de bolachas
ro SSEC 3302 Mașină de îndepărtare a rezistenței și de curățare a plăcilor
ru SSEC 3302 Машина для удаления резиста и очистки пластин
sr SSEC 3302 Mašina za uklanjanje otpornika i čišćenje pločica
sv SSEC 3302 Maskin för borttagning av resist och rengöring av wafers
tr SSEC 3302 Direnç Sökme ve Gofret Temizleme Makinesi

Detaillierte Informationen

-------------------
Betriebsstunden
Einschaltstunden
Zustand gut
CE-Norm ---------
Status

Beschreibung

SSEC CLEAN 3300

MODELL: M3302

208 VAC, 3PH, 60Hz, 30 AMP

Herstellungsdatum: 8/30/05

AC Dwg Nr. 330i1712



1) der Wafer wird in das Lösungsmittelgemisch getaucht (sog. Tauchreinigung)

2) Es erfolgt eine Bearbeitung mit Sprühlösungsmitteln (sog. Fan Spray Processing) und eine Stickstofftrocknung.

Die Anlage verfügt über ein sogenanntes Dry-in/Dry-out-System (trockene Wafer rein/ trockene Wafer raus).



Die TSV-Reinigung nach dem DRIE-Ätzen ist für die Zuverlässigkeit von 2,5D- und 3D-IC-Bauelementen unerlässlich. SSECs firmeneigene

Sicker- und Sprühtechnologie von SSEC minimiert die Sprühzeit und den Einsatz von Chemikalien und senkt so die Betriebskosten gegenüber

als herkömmliche Nassbank- oder Einzelsprühverfahren; sie erreicht 100 % Photoresist und Seitenwand

Fluorpolymerentfernung 5x schneller als nur durch Sprühen.



Das Gerät verfügt über eine Software für zeitgleiches Einweichen zur Prozesssteuerung. Jeder Wafer tränkt in einem beheizten, rezirkulierenden

Lösungsmittel ein, bis die Polymerreste eingedrungen sind. Nach der Nassübergabe an die Sprühstation werden die

wird der Wafer mit Hochdruck besprüht, um verbleibende Rückstände schnell zu entfernen. Das Ergebnis ist 100%ig

Entfernung von Photoresist und Polymer. Das Einweichen und Besprühen benötigt 88 % weniger Zeit und 77,5 % weniger Chemie als

reinen Sprühverfahren.

Bitte beachten Sie, dass diese Beschreibung automatich übersetzt wurde. Für weitere Informationen stehen wir Ihnen gerne zur Verfügung. Die Angaben in dieser Anzeige sind unverbindlich. Wir empfehlen, die Details vor einem Kauf mit dem Verkäufer zu überprüfen.


Art von Kunde Händler
1. Registrierung 2014
Online Angeboten 24
Letzte log in 11. September 2024

Beschreibung

SSEC CLEAN 3300

MODELL: M3302

208 VAC, 3PH, 60Hz, 30 AMP

Herstellungsdatum: 8/30/05

AC Dwg Nr. 330i1712



1) der Wafer wird in das Lösungsmittelgemisch getaucht (sog. Tauchreinigung)

2) Es erfolgt eine Bearbeitung mit Sprühlösungsmitteln (sog. Fan Spray Processing) und eine Stickstofftrocknung.

Die Anlage verfügt über ein sogenanntes Dry-in/Dry-out-System (trockene Wafer rein/ trockene Wafer raus).



Die TSV-Reinigung nach dem DRIE-Ätzen ist für die Zuverlässigkeit von 2,5D- und 3D-IC-Bauelementen unerlässlich. SSECs firmeneigene

Sicker- und Sprühtechnologie von SSEC minimiert die Sprühzeit und den Einsatz von Chemikalien und senkt so die Betriebskosten gegenüber

als herkömmliche Nassbank- oder Einzelsprühverfahren; sie erreicht 100 % Photoresist und Seitenwand

Fluorpolymerentfernung 5x schneller als nur durch Sprühen.



Das Gerät verfügt über eine Software für zeitgleiches Einweichen zur Prozesssteuerung. Jeder Wafer tränkt in einem beheizten, rezirkulierenden

Lösungsmittel ein, bis die Polymerreste eingedrungen sind. Nach der Nassübergabe an die Sprühstation werden die

wird der Wafer mit Hochdruck besprüht, um verbleibende Rückstände schnell zu entfernen. Das Ergebnis ist 100%ig

Entfernung von Photoresist und Polymer. Das Einweichen und Besprühen benötigt 88 % weniger Zeit und 77,5 % weniger Chemie als

reinen Sprühverfahren.

Bitte beachten Sie, dass diese Beschreibung automatich übersetzt wurde. Für weitere Informationen stehen wir Ihnen gerne zur Verfügung. Die Angaben in dieser Anzeige sind unverbindlich. Wir empfehlen, die Details vor einem Kauf mit dem Verkäufer zu überprüfen.

Detaillierte Informationen

-------------------
Betriebsstunden
Einschaltstunden
Zustand gut
CE-Norm ---------
Status

Bezüglich der/die Besitzer /in

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