ANNEALSYS AS-Micro Mais vendido

17.000 €

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Fabricante	ANNEALSYS
Modelo	AS-Micro
Ano	2017
Localização	França
Categoria	Diversos semicondutores
ID do produto	P230323112
Linguagem	ANNEALSYS AS-Micro Polovodičový stroj ANNEALSYS AS-Micro ANNEALSYS AS-Micro ANNEALSYS AS-Micro Sondere Halbleiter Maschine ANNEALSYS AS-Micro ANNEALSYS AS-Micro Semiconductor machine Máquina semiconductor ANNEALSYS AS-Micro Four RTP ANNEALSYS AS-Micro de 2017 + pompe + ordinateur ANNEALSYS AS-Micro ANNEALSYS AS-Micro Macchina di semiconduttori ANNEALSYS AS-Micro ANNEALSYS AS-Micro ANNEALSYS AS-Micro Maszyna do półprzewodników ANNEALSYS AS-Micro ANNEALSYS AS-Micro ANNEALSYS AS-Micro ANNEALSYS AS-Micro Оборудование для полупроводников ANNEALSYS AS-Micro ANNEALSYS AS-Micro Yarı İletken Makinası ANNEALSYS AS-Micro

Detalhes
Sobre este vendedor

Especificações

-------------------
Horas trabalhadas
Horas sob energia
Estado	bom
Nas normas locais	---------
Status	visível

Descrição

RTP ANNEALSYS AS-Micro forno de 2017 + bomba + computador

Condição perfeita. Data de 2017.
Entregue com:
- Bomba de vácuo e bomba de evacuação Agilent IDP3A01
- controlar computador, software e código de usuário.
- manual

O AS-Micro é um processador térmico compacto de bancada de três polegadas com capacidade de vácuo dedicado a aplicações de pesquisa. Ele pode processar substratos de alguns milímetros quadrados até 3 polegadas de diâmetro ou quadrado. Susceptores opcionais estão disponíveis para armazenar pequenas amostras e processar substratos com baixa absorção de infravermelho.

A câmara de processamento de tubo de quartzo com flanges de aço inoxidável e um forno tubular com lâmpadas halógenas infravermelhas permite processar até 1250°C com taxas de rampa muito rápidas (> 250°C/s). O controlador de temperatura de última geração garante um controle preciso da temperatura.

A porta de movimento horizontal com bandeja de quartzo fornece fácil acesso para carga e descarga de wafer e instalação de termopar.

Características
O forno oferece a maior taxa de rampa de até 250°C/s para wafers de 2".
Faixa de temperatura: temperatura ambiente a 1250°C
Taxa de rampa de até 250°C/s em substrato de silício de 2 polegadas de diâmetro, 200°C/s em substrato de 3 polegadas.
Capacidade de mistura de gases com controladores de fluxo de massa
Faixa de vácuo: Atm a 10-2 Torr (10-6 Torr com bomba turbo opcional)
Controle de temperatura por termopar com controlador de temperatura PID digital rápido
Controle total do PC com software compatível com Windows

para laboratório de eletroquímica e nanomateriais de semicondutores / de semicondutores / de wafer

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Tipo de cliente	Distribuidor
Ativo Desde	2015
Ofertas on-line	53
Ultima atividade	30 de Janeiro de 2025

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Horas trabalhadas
Horas sob energia
Estado	bom
Nas normas locais	---------
Status	visível

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Ativo Desde	2015
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